【摘要】高性能、高速度、低功耗、微小化是现代集成电路发展的方向,集成电路中器件尺寸的不断缩小必然使得器件性能的物理效应发生变化。器件特征尺寸的不断缩小要求MOSFET的栅氧化层厚度不断减小,使得氧化层电容随着器件尺寸的缩小而成比例减小,当栅氧化层厚度减小到一定程度时便会产生栅极泄露电流,由于MOSFET的寄生电容并没有随着器件尺寸的缩小成比例减小,因此器件的可靠性受寄生电容的影响越来越严重。用低漏 […]

【摘要】随着微电子技术的不断发展，传统的Si材料、Si器件受到了诸多挑战，半导体器件的性能因材料和器件物理特性的限制难以继续提高，为此，需要采用新型材料与器件结构以获得半导体器件性能的进一步改善。在此背景下，硅基双轴应变技术应运而生。随着应力的引入，Si和SiGe材料的能带结构发生了改变，材料载流子迁移率获得提升，使得基于该技术的MOS器件性能增强，同时，硅基双轴应变材料容易实现大面积生长，器件的 […]

【摘要】随着微电子技术的不断发展，传统的Si材料、Si器件受到了诸多挑战，半导体器件的性能因材料和器件物理特性的限制难以继续提高，为此，需要采用新型材料与器件结构以获得半导体器件性能的进一步改善。在此背景下，硅基双轴应变技术应运而生。随着应力的引入，Si和SiGe材料的能带结构发生了改变，材料载流子迁移率获得提升，使得基于该技术的MOS器件性能增强，同时，硅基双轴应变材料容易实现大面积生长，器件的 […]