【摘要】石墨烯因具备极好的导电性、导热性以及透光率,可以在微电子、光电子等领域起到重要应用。石墨烯的制备技术也获得了长足的进步,为下一步实现工业化起到了积极的推进作用。本论文采用化学气相沉积法(CVD)在铜箔上制备了单层石墨烯,并对其结构以及电学性能进行了研究。通过与采用磁控溅射的方法制备的ZnO薄膜结合制备了电致发光原型器件,对其电致发光(EL)特性及机制进行了研究与分析。另一方面,通过与n型硅 […]

【摘要】碲化铋基合金(Bi2Te3、Sb2Te3、Bi2Se3)是一类非常重要的热电材料,一直受到广泛的研究。近几年,碲化铋又被发现是一种三维的拓扑绝缘体材料,更是引起了人们强烈的关注。拓扑绝缘体的材料内部不导电,呈现绝缘体材料的特性；材料表面电子可以自由移动,具有金属的导电性能。碲化铋基纳米片(Bi2Te3,Bi2Se3,Sb2Te3)被证实表面有良好的拓扑绝缘性能,是物理学研究的理想平台,因而 […]

【摘要】在本论文中,我们利用化学气相沉积法(CVD)制备了氧化镓(Ga203)、氧化锡(Sn02)、氧化锌(ZnO)等金属氧化物纳米结构。并利用“刻划法”这种简易的电极制备方法构筑了相应的紫外探测器件,测试了它们的紫外光电特性。本论文的第一章主要从纳米技术、紫外探测技术、一维纳米结构在紫外探测上的应用等三方面进行了论述。纳米技术主要概述了纳米材料的制备方法,纳米材料的应用,纳米技术的发展。紫外探测 […]

【摘要】化学气相沉积(Chemialvapordeposition,CVD)是制备高纯高致密钨零件及涂层的重要工艺。通过介绍采用CVD方法制备的纯钨材料的工艺与技术特点,并从CVD-W材料特性、产品种类,相关应用方向等方面阐述了CVD技术在钨材料制造中的发展情况,介绍了CVD-W在国防军工、核能、医疗等行业领域的应用,总结了CVD-W制备技术和材料的国内外现状,并指出了未来国内CVD技术在钨及难熔 […]

【摘要】碳元素在地壳中的丰度仅为0.027%,与铁、铝、氧等富有元素比较相差甚远,但放眼地球表面,碳元素却无处不在。它几乎可涵盖地球上所有物质的性质甚至相对立的两种性质,如从最硬到极软、全吸光到全透光、绝缘体到半导体到导体、绝热到良导热等。就某种意义上讲,人类世界就是碳的世界,人类文明史就是人类利用碳的历史。碳基材料在诸多领域都体现着重要的应用价值,比如石墨材料作为中子慢化剂用于核工程,磁性碳基材 […]

【摘要】采用完整热力学平衡分析验证了自愈合相BxC的产物是温度和初始气体摩尔比的函数。结果表明,凝聚相的成分与温度和气体的摩尔比(如BCl3:(BCl3+CH4)、H2:(BCl3+CH4))密切相关。BxC的理想沉积条件是:BCl3:(BCl3+CH4)之比为0.8,H2:(BCl3+CH4)之比在10~105.2之间,而温度应高于950K。材料的富碳或者富硼主要通过调整BCl3:(BCl3+C […]