【摘要】ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,因其具有优异的光电性能而拥有巨大的应用前景。在ZnO中掺入少量的Se元素,可以调节能带,使其价带顶上升,导带底下降,禁带宽度变小。ZnO的价带顶提高后,可以使一些受主杂质的能级变浅,因此有利于p型掺杂。本文使用射频磁控溅射技术,制备了组分和带隙可调的ZnOSe合金薄膜及N掺杂的p型ZnOSe薄膜,使用脉冲激光沉积技术制备了Na掺杂的p型ZnOSe薄膜。主 […]

【摘要】环形器是一种在军事和民用领域都被广泛应用的微波器件。传统的环形器都是在块状铁氧体材料上制备的，导致其具有体积大、质量重等缺点。随着现代化设备对器件的体积、质量等因素越来越敏感，发展出体积小、质量轻的环形器已经刻不容缓。薄膜环形器就是在这种背景下应运而生的。虽然已经有很多研究人员对薄膜环形器做了大量的研究，但是当前的薄膜环形器制备技术仍然很不成熟，其中一个制约其发展的因素就是难以制备出高质量 […]

【摘要】固体氧化物燃料电池(SOFC)是一个对环境友好型的低污染能源转换装置,将燃料中的化学能直接转化为电能。决定SOFC性能的最主要因素是中低温下电解质材料离子电导率的大小,本文就降低电解质膜的厚度及构筑新型超晶格电解质薄膜材料以降低电池工作温度进行了详细研究。利用激光脉冲沉积技术在多孔NiO-YSZ阳极基底制备YSZ薄膜及MgO(110)单晶基底制备纳米级YSZ薄膜和YSZ/STO/YSZ三层 […]