【摘要】ZnO是重要的宽带隙化合物半导体,激子束缚能高达60meV,在短波长光电器件领域具有巨大的应用潜力。ZnOS合金体系具有较大的弯曲系数,且研究表明S的加入抬升了ZnO的价带顶,降低了受主激活能,可提高p型掺杂的效率。本文以ZnOS合金体系为基本的研究对象,利用磁控溅射法制备了ZnS薄膜、ZnOS合金薄膜和S-N共掺杂ZnO薄膜,并围绕其结构和性能展开研究。通过优化生长气压制备了高结晶质量的 […]

【摘要】随着电子信息社会的不断进步,消费市场对于存储技术的要求越来越高。为了提高存储密度,在摩尔定律的推动下,存储器件尺寸不断等比例缩小,导致基于传统多晶硅浮栅的flash技术面临着严重的可靠性问题,如相邻存储单元之间的浮栅耦合、应力导致的电荷泄漏等。为了解决上述问题,基于电荷分立存储技术的电荷俘获型存储器应运而生。同时,人们也开展了用金属替代多晶硅作为浮栅以改善存储器件性能的研究。另外,利用高K […]

【摘要】近年来,随着低维纳米材料合成方法的发展和应用,使得具有特定晶向的纳米薄片,纳米棒,纳米线,纳米管和半导体复合材料成为当前金属氧化物材料的研究热点对象。在实验蓬勃发展的同时,相关理论工作也取得了较大的发展。例如基于密度泛函理论计算和模拟,不仅能解释一些实验观测结果,而且还能给出一些有意思的理论预测。本博士学位论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,侧重研究了金属氧化物半导体不同晶面电化 […]