【摘要】随着电子信息社会的不断进步,消费市场对于存储技术的要求越来越高。为了提高存储密度,在摩尔定律的推动下,存储器件尺寸不断等比例缩小,导致基于传统多晶硅浮栅的flash技术面临着严重的可靠性问题,如相邻存储单元之间的浮栅耦合、应力导致的电荷泄漏等。为了解决上述问题,基于电荷分立存储技术的电荷俘获型存储器应运而生。同时,人们也开展了用金属替代多晶硅作为浮栅以改善存储器件性能的研究。另外,利用高K […]