【摘要】ZnO是重要的宽带隙化合物半导体,激子束缚能高达60meV,在短波长光电器件领域具有巨大的应用潜力。ZnOS合金体系具有较大的弯曲系数,且研究表明S的加入抬升了ZnO的价带顶,降低了受主激活能,可提高p型掺杂的效率。本文以ZnOS合金体系为基本的研究对象,利用磁控溅射法制备了ZnS薄膜、ZnOS合金薄膜和S-N共掺杂ZnO薄膜,并围绕其结构和性能展开研究。通过优化生长气压制备了高结晶质量的 […]