【摘要】从半导体材料制备领域发展起来的分子束外延(MBE)技术,由于其在材料生长过程的原位监测、材料成分的精确控制以及材料微结构的人工调控方面拥有独特的优势,如今已经用于制备磁电子异质结材料、光电器件材料以及金属超薄膜材料,同时也为研究晶体生长形成、表面、界面、生长动力学等基本理论提供了有利工具。兰州大学物理学院利用自身优势,以高频磁性技术为应用背景,以Ⅲ-V族半导体材料及磁性薄膜材料作为研究对象 […]

【摘要】近二十年来，伴随着光电和通信技术的发展，氮化物半导体材料越来越受到人们的重视，目前基于GaN的照明技术已经相当成熟并实现了商业化，而InN材料却只是在近几年里才受到关注。InN具有很多优良特性，包括极低的电子有效质量、高迁移率、高饱和速率、窄带隙等等，尤其是其0.7eV左右的禁带宽度对应的发光波长刚好位于石英光纤通讯窗口。而InAlN合金材料的带隙可以涵盖从近红外波段到紫外波段的光谱范围， […]