【摘要】从半导体材料制备领域发展起来的分子束外延(MBE)技术,由于其在材料生长过程的原位监测、材料成分的精确控制以及材料微结构的人工调控方面拥有独特的优势,如今已经用于制备磁电子异质结材料、光电器件材料以及金属超薄膜材料,同时也为研究晶体生长形成、表面、界面、生长动力学等基本理论提供了有利工具。兰州大学物理学院利用自身优势,以高频磁性技术为应用背景,以Ⅲ-V族半导体材料及磁性薄膜材料作为研究对象 […]