【摘要】霍尔效应测试是半导体测试技术中一种重要的测试手段,用于测量半导体材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等电学参数,在研究和生产中有广泛的应用。本文以霍尔效应测试为主要研究手段,研究了重掺n型单晶硅的载流子迁移率随温度变化的关系、迁移率计算模型Klaassen模型在n型补偿硅中的适用性、以及快速热处理(RTP)向硅中注入的氮的电活性,得到以下主要研究结果：(1)研究了重掺磷和重掺硼直拉单晶 […]

【摘要】金属合金的发展经历了四个不同的阶段。第一种合金是传统的金属合金,以一种金属元素为基本元素,例如Fe、Cu、和Al等常见金属,加入少量的其他金属或非金属元素,以期获得在特定工作环境中所需要的性能。但是,取决于传统合金的成分,这类合金材料只能在623-823K温度范围内稳定存在,高于此温度范围,合金材料将失去其原有的优异性能。从1973年开始,第二种金属合金是金属间化合物,由于其良好的热稳定性 […]

【摘要】钎焊是铝合金连接最常用的方法之一。目前铝合金钎焊用钎料主要为Al-Si系,该类钎料熔点较高,极易造成钎焊铝合金母材的晶粒长大、溶蚀。过高的钎焊温度也易造成母材发生过烧、溶蚀等现象,从而降低钎焊接头的性能。现有的其他Al-Si-Cu系和Al-Si-Mg系铝合金钎料,Cu含量为27-29wt.%,过多的Cu含量使材料变脆及钎焊时出现对母材的溶蚀,很难得到性能优良的钎焊接头。6系可热处理强化铝合 […]

【摘要】Sn02是直接禁带半导体且具有相当高的室温激子束缚能(-130meV),然而由于其双极子-束缚特性,几乎不能产生带间复合发光。在此情况下,利用SnO2缺陷态产生电致发光近年来引起人们的研究兴趣。本文制备了Sn02/P+-Si异质结,并实现了基于该异质结的器件的低电压/电流驱动的紫外-可见电致发光,具体的主要结果如下：(1)研究了不同温度热处理的Sn02/P+-Si异质结器件的电致发光。研究 […]

【摘要】本文利用射频磁控溅射技术制备GZO透明导电薄膜,研究了溅射压强、溅射功率、高温退火、H等离子处理等工艺对薄膜性能的影响,制得了光电性能优异的GZO透明导电薄膜。在此基础上,设计了GZO薄膜用作硅基太阳能电池透明窗口和电极的新型太阳能电池,开展了前期测试与研究。主要工作内容包括：1.采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上生长了高透明导电的GZO薄膜,研究了溅射压强、溅射功率对GZO薄膜结构、形貌、 […]

【摘要】光伏玻璃盖板表面镀制减反射薄膜是提高光伏电池光电转换效率的有效途径之一,本研究通过溶胶-凝胶法制备了高效减反射薄膜。采用商品化SiO2溶胶为原料开展了减反射薄膜的研究。以聚乙烯醇(1788-PVA)为造孔剂,研究了SiO2和聚乙烯醇(1788-PVA)的浓度、热处理温度、溶胶pH及陈化时间等制备工艺参数的影响。研究结果表明：将商业化SiO2水溶胶质量浓度调整为6.0%,加入聚乙烯醇(178 […]

【摘要】现代电子信息技术向高频、高稳定、低损耗方向的快速发展,对关键电子元件一多层片式陶瓷电容(Multi-layerceramiccapacitors,MLCC)的性能提出了更高的要求。为了满足此要求,低介电常数、低损耗、零电容温度系数、低成本的介电陶瓷材料成为当今研究的一个热点方向。镁黄长石(Ca2MgSi2O7)属于四方晶系,具有化学稳定、热稳定等特点,在生物、发光等领域得到广泛研究,但其介 […]

【摘要】太阳能光伏发电是一种重要的绿色可再生能源,被认为是解决能源危机最有效的途径之一。目前,晶体硅太阳能电池占据着80%以上的市场份额。然而常规晶体硅太阳电池在使用过程中存在光衰减现象,使得电池转换效率下降3-5%,大大的制约了太阳电池的发展。早期研究发现光衰减与硅中的硼和氧生成的复合体相关,然而到目前为止光衰减缺陷的本质还无定论。通过同族元素掺杂技术,光衰减现象可以得到抑制,然而与其相关的光衰 […]

【摘要】透明导电电极材料在信息科技和新能源技术中起到了很重要的作用。这些材料,尤其是透明导电氧化物(TCO)广泛应用于低发射率涂层,平板显示,薄膜太阳能电池和有机发光二极管等器件上。在这类材料中,n型掺杂的氧化锌(Zn0)具有良好的光电性能。怎样增加载流子迁移率是制备高性能Zn0基透明导电薄膜的关键技术,因为迁移率的提高不仅可以减低电阻率,而且可以提高光透过率。在本文中,我们研究了H、F两种非金属 […]

【摘要】纳米材料由于其不同于宏观材料的光、电、磁、力学、机械等性能在光、电、磁、催化、能量的存贮与转化等领域具有广泛的应用前景。近年来,纳米材料由于其优异的性质而受到广泛的研究和关注。钯基、锡基合金纳米材料作为纳米材料的一个分支其优异的电化学性能使它成为纳米材料领域中的研究热点。钯基、锡基合金纳米材料的成分、形貌和结构是影响它电化学性能的主要因素。通过研究它们的成分、形貌和结构对其电化学性能的影响 […]