【摘要】近年来，关于非磁性离子掺杂半导体d0磁性的研究引起了广泛关注。非磁性离子掺杂可以有效地避免过渡族磁性元素掺杂所产生的磁团簇、磁沉积或磁第二相等，消除了上述非内禀磁性产生的影响。在各种类型的磁性半导体中，氧化物基半导体具有宽带隙，能够实现n型载流子重掺杂，是有希望实现高居里温度磁性的基质半导体之一。实验研究发现一些非磁性离子掺杂氧化物半导体具有室温d0磁性。作为一种重要的宽带隙半导体材料，非 […]