Li掺杂SnO_2d~0磁性的第一性原理研究

Li掺杂SnO_2d~0磁性的第一性原理研究

作者:师大云端图书馆 时间:2020-12-27 分类:参考文献 喜欢:2267
师大云端图书馆

【摘要】近年来,关于非磁性离子掺杂半导体d0磁性的研究引起了广泛关注。非磁性离子掺杂可以有效地避免过渡族磁性元素掺杂所产生的磁团簇、磁沉积或磁第二相等,消除了上述非内禀磁性产生的影响。在各种类型的磁性半导体中,氧化物基半导体具有宽带隙,能够实现n型载流子重掺杂,是有希望实现高居里温度磁性的基质半导体之一。实验研究发现一些非磁性离子掺杂氧化物半导体具有室温d0磁性。作为一种重要的宽带隙半导体材料,非磁性离子掺杂SnO2的d0磁性被广泛研究。最近实验报道非磁性的SnO2掺杂非磁性的元素Li后,具有d0磁性,其饱和磁矩随掺杂Li离子浓度的增加而增加,而且对于9%的Li掺杂浓度,随着样品退火温度的升高,其饱磁矩增加。目前关于Li掺杂SnO2产生d0磁性规律的机制还没有报道。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Li替代、Li间隙和氧空位等对SnO2电子结构和磁性的影响。本文的计算采用了维也纳工业大学开发的VASP程序软件包,重点分析了掺杂和缺陷对磁性的影响,主要工作和结论如下:1.在存在氧空位缺陷的条件下,对SnO2和不同浓度Li掺杂SnO2的电子结构、磁学性质以及缺陷形成能进行了自旋极化的第一性原理计算,掺杂的方式包括替代和间隙原子。计算结果表明:含有氧空位的SnO2和Li间隙的Li掺杂SnO2体系都是非磁性的,而含有氧空位的Li替代的Li掺杂SnO2体系的基态是磁性态,并且随着Li替代原子的增加,体系的磁矩也增加。磁矩主要来源于掺杂Li原子周围的O原子p轨道的贡献。氧空位使间隙Li的形成能明显升高,使替代Li的形成能降低。结合形成能和晶格常数的结果,可以推断Li掺杂SnO2中,间隙Li不存在,Li掺杂主要应是Li替代Sn的情况。2.对Li掺杂浓度为8.33%的Li掺杂SnO2体系,其中包含两个氧空位、一个氧空位和没有氧空位三种情况,进行了自旋极化的第一性原理计算。计算结果表明:随着Li掺杂SnO2体系中氧空位的减少,Li替代SnO2体系的形成能增高,体系的磁矩增加。计算结果表明体系磁矩主要来源于掺杂Li原子周围的O原子p轨道的贡献。总之,对于Li掺杂的SnO2,掺杂原子浓度和氧空位与磁性关系的计算结果与实验结果符合。
【作者】刘昱;
【导师】闫羽;
【作者基本信息】吉林大学,凝聚态物理,2014,硕士
【关键词】Li掺杂;SnO2;d0磁性;第一性原理;

【参考文献】
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