【摘要】近年来，随着III-V族氮化物半导体生长技术的进步，基于III-V族氮化物半导体的器件表现出越来越优异的性能，并逐渐开始进入应用领域，相应的输运研究也得到了广泛的关注。为了能够准确的对III-V族半导体器件进行准确建模和预测器件性能，需要对其输运特性进行研究，建立适应于III-V族器件输运的关键参数，如迁移率和扩散系数模型。由于III-V族氮化物半导体经常工作在强场和高频条件下，为了能够准 […]