【摘要】随着透明光电子器件的应用与发展，深紫外透明氧化物半导体的光电性能越来越受到人们的光注。Ga2(1-x)In2xO3(Ga2O3-In2O3)固溶体可认为是Ga2O3和In2O3的合金相，其光学带隙能随In含量的变化在3.7~4.9eV之间发生变化。Ga2(1-x)In2xO3固溶体具有较宽的光学带隙，故在深紫外波段透过率较高，可以用来作为一些深紫外光电子器件。但是，满足化学计量比的Ga2( […]