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单晶钴薄膜与多晶铋薄膜中的自旋输运研究 12月20日

【摘要】随着电子学器件的不断升级换代,由于器件尺寸的不断变小而逼近量子尺度,隧穿造成的漏电与高集成度导致的发热效应成为进一步发展的本质困难。为了应对这一困难,人们开始挖掘电子自旋这一之前在器件研发中被忽略的物理量的应用潜力,试图在集成电路中用自旋流代替电子流来进行运算。以自旋的研究与调控为中心发展出了一个新兴的学科:自旋电子学。在自旋电子学研究中,自旋流与电流的相互转化是最重要的核心问题之一,因为 […]