【摘要】在Ⅲ-V族氮化物半导体中,氮化镓(GaN)和氮化硼(BN)具有很高的发光效率、硬度、热导率、抗辐射能力。它们在蓝绿发光元件、微电子元件、存储元件等许多发光电器件中应用,是目前世界上先进的半导体材料,已经引起广泛关注。GaN和BN主要有纤锌矿和和闪锌矿两种晶体结构,目前广泛研究和应用的是纤锌矿结构晶体。基于密度泛函理论第一性原理方法,本文选取广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)两种 […]

【摘要】广义多极子技术是一种稳定、灵活、易于处理各种复杂边值问题的数值方法。自20世纪80年代提出以来,该技术已在电磁波散射、声波/弹性波散射、光子晶体能带结构以及光子晶体波导计算等方面得到广泛应用。但由于声波/弹性波在周期结构中传播的复杂性,广义多极子技术在声子晶体中的应用研究至今没有文献报道。声子晶体是一种具有周期性结构并呈现弹性波带隙特性的声学功能复合材料。带隙的存在使得声子晶体在隔声减振和 […]