【摘要】在Ⅲ-V族氮化物半导体中,氮化镓(GaN)和氮化硼(BN)具有很高的发光效率、硬度、热导率、抗辐射能力。它们在蓝绿发光元件、微电子元件、存储元件等许多发光电器件中应用,是目前世界上先进的半导体材料,已经引起广泛关注。GaN和BN主要有纤锌矿和和闪锌矿两种晶体结构,目前广泛研究和应用的是纤锌矿结构晶体。基于密度泛函理论第一性原理方法,本文选取广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)两种 […]