【摘要】硅纳米线(SiNWs)材料因其优异的力学、热学及光电学性质而受到了广泛的关注。其中,利用金属辅助化学刻蚀的方法可以在重掺Si片上制备表面具有多孔结构的SiNWs阵列。由于自从1990年发现多孔Si具有室温光致发光的特点以来,对于多孔Si材料结构与光学性能的研究便一直是人们关注的热点。因此,关于多孔SiNWs阵列的可控制备及其发光性能提升研究,对多孔Si在半导体纳米光电子器件领域中的应用有着 […]