多孔硅纳米线阵列的可控制备及其发光性能提升研究

多孔硅纳米线阵列的可控制备及其发光性能提升研究

作者:师大云端图书馆 时间:2024-01-21 分类:硕士论文 喜欢:1424
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【摘要】硅纳米线(SiNWs)材料因其优异的力学、热学及光电学性质而受到了广泛的关注。其中,利用金属辅助化学刻蚀的方法可以在重掺Si片上制备表面具有多孔结构的SiNWs阵列。由于自从1990年发现多孔Si具有室温光致发光的特点以来,对于多孔Si材料结构与光学性能的研究便一直是人们关注的热点。因此,关于多孔SiNWs阵列的可控制备及其发光性能提升研究,对多孔Si在半导体纳米光电子器件领域中的应用有着重要的意义。本研究中,通过对实验参数的优化,我们在重掺Si衬底上制备了形貌可控、发光强度可调的多孔SiNWs阵列,并通过原子层沉积(ALD)的方法将SiNWs与HfO2材料相结合,获得了Si-HfO2核壳结构,在表面钝化的同时实现了1.7倍的发光增强。另外,我们对SiNWs的传感特性进行了初探,通过其对乙醇的光响应测试研究了SiNWs的光猝灭,并提升了其探测稳定性。主要研究内容如下:(1)在-p-Si-(100)、p-Si-(111)以及n-Si-(111)三种规格的重掺Si衬底上获得了多孔SiNWs阵列。通过改变刻蚀剂中氧化剂浓度,实现了重掺p-Si-(111)型衬底上取向可控的SiNWs的制备。(2)通过常温光致发光谱(PL)和比表面积(BET)测试,研究了刻蚀剂中氧化剂浓度、原材料衬底取向及Si片掺杂元素与SiNWs阵列的多孔性及发光强度的关系,并对这些影响因素的作用机理作了进一步的分析。(3)通过ALD方法在SiNWs表面包覆一层透光层,实现表面钝化,将SiNWs与Hf02材料相结合,获得了Si-HfO2核壳结构,并实现了1.7倍的发光增强,分析了发光增强与荧光寿命变化的原因。同时,通过改变钝化层材料和钝化层厚度,获得了实现SiNWs阵列发光增强最佳效果的反应参数。(4)对多孔SiNWs进行了光响应测试,初步研究了醇类对多孔SiNWs的发光猝灭作用,并通过表面钝化处理,在保持发光猝灭特性的同时提升了其探测稳定性。
【作者】甘露;
【导师】何海平;黄碎荣;
【作者基本信息】浙江大学,半导体纳米材料(专业学位),2014,硕士
【关键词】硅纳米线;多孔性;荧光特性;表面钝化;探测稳定性;

【参考文献】
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