【摘要】作为第三代半导体材料,InGaN凭借其优异的光伏特性,近年来已成为国际上关注的热点。InxGai-xN合金不仅具有连续可调的直接带隙结构(0.7～3.4eV),其吸收光谱几乎与太阳光谱完美匹配,还具有高吸收系数、高电子迁移率、高硬度、耐高温、抗辐射能力强等优点,是实现全光谱太阳能电池的理想材料,在高效太阳能电池方面展现出了巨大的发展潜力。本文以InGaN/GaN多量子阱太阳能电池为核心,在 […]