【摘要】Sn02是直接禁带半导体且具有相当高的室温激子束缚能(-130meV),然而由于其双极子-束缚特性,几乎不能产生带间复合发光。在此情况下,利用SnO2缺陷态产生电致发光近年来引起人们的研究兴趣。本文制备了Sn02/P+-Si异质结,并实现了基于该异质结的器件的低电压/电流驱动的紫外-可见电致发光,具体的主要结果如下：(1)研究了不同温度热处理的Sn02/P+-Si异质结器件的电致发光。研究 […]

【摘要】近二十年来，伴随着光电和通信技术的发展，氮化物半导体材料越来越受到人们的重视，目前基于GaN的照明技术已经相当成熟并实现了商业化，而InN材料却只是在近几年里才受到关注。InN具有很多优良特性，包括极低的电子有效质量、高迁移率、高饱和速率、窄带隙等等，尤其是其0.7eV左右的禁带宽度对应的发光波长刚好位于石英光纤通讯窗口。而InAlN合金材料的带隙可以涵盖从近红外波段到紫外波段的光谱范围， […]

【摘要】本论文主要对亚铜配合物的光物理性质和电致发光性能进行研究,具体内容如下：1、以原位共蒸亚铜配合物为发光层的高效橙红光电致发光器件设计并合成了三种具备与碘化亚铜(CuI)配位能力的咔唑吡嗪类(CPz)化合物。研究了它们及其与CuI共蒸掺杂薄膜的光物理性质后,选定化合物9-(3-(6-(咔唑-9-基)吡嗪-2-基)苯)-咔唑(CPzPC)与CuI用于制作OLED器件的发光层。最优化的器件发射橙 […]

【摘要】石墨烯因具备极好的导电性、导热性以及透光率,可以在微电子、光电子等领域起到重要应用。石墨烯的制备技术也获得了长足的进步,为下一步实现工业化起到了积极的推进作用。本论文采用化学气相沉积法(CVD)在铜箔上制备了单层石墨烯,并对其结构以及电学性能进行了研究。通过与采用磁控溅射的方法制备的ZnO薄膜结合制备了电致发光原型器件,对其电致发光(EL)特性及机制进行了研究与分析。另一方面,通过与n型硅 […]

【摘要】碳点是一种新型发展的发光量子效率较高的纳米光源。它由两部分组成。它的内核的主要成分为sp2杂化的结晶或非晶态的碳原子。它的表面往往带有丰富的功能基团，如羟基、羧基、羰基以及氨基等。因为它的发光稳定，生物相容性好，原料广泛以及制备简易而受到广泛关注。目前对于碳点的应用研究集中在生物医学方面，如将它用于化学传感和生物标记。在这些研究里，碳点都处于水溶液的环境，它的发光也是在水溶液环境下的发光。 […]