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新型存储器老化测试系统的实现 05月05日

【摘要】近年来,电子技术的飞速发展使得集成电路的应用领域越来越广,一些重要领域如军工、航空航天等都大量采用集成电路相关技术。同时,集成电路的工作频率不断提高,复杂度不断增加,其可靠性也越来越受到人们的关注。在集成电路的可靠性测试中,高温动态老化测试是重中之重。国产的第三代/第四代集成电路老化设备均已采用在集成电路老化的同时进行功能测试的技术。本文结合软硬件设计新技术,设计并实现了一种基于存储器的集 […]

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基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究 10月30日

【摘要】在电子产品中、SOC(SystemOnChip,片上系统)或者ASIC设计中,经常需要小容量(几十比特数到几K比特数)的NVM(Non-VolatileMemory,非挥发性存储器),但是传统的NVM由于需要多层多晶硅来形成浮栅器件,其制造生产相对于标准CMOS工艺来说,需要额外的光罩和工艺步骤,不但工艺复杂而且生产成本高,不利于系统集成;并且擦写时因为需要15V左右的高压,从而导致功耗较 […]

复杂过渡金属氧化物的电阻开关行为研究 02月04日

【摘要】在一些金属/绝缘体/金属的三明治结构组成的电阻式随机存储器(RRAM)中,人们只需通过不同电场脉冲就能控制器件的非挥发性状态(高阻态或者低阻态)。RRAM器件具有结构简单、功耗低、速度高、集成密度高等优良性能,受到越来越多的关注,被认为是下一代新型非挥发性存储器的强有力候选者之一。然而,目前这类器件因电阻开关存储机制不够清晰,以及性能不够稳定等原因,还无法得到大规模的应用。因此,继续研究电 […]