【摘要】在电子产品中、SOC（SystemOnChip，片上系统）或者ASIC设计中，经常需要小容量（几十比特数到几K比特数）的NVM（Non-VolatileMemory，非挥发性存储器），但是传统的NVM由于需要多层多晶硅来形成浮栅器件，其制造生产相对于标准CMOS工艺来说，需要额外的光罩和工艺步骤，不但工艺复杂而且生产成本高，不利于系统集成；并且擦写时因为需要15V左右的高压，从而导致功耗较 […]