【摘要】ZnO具有较大的禁带宽度及激子束缚能,有望成为一种可靠的新型发光材料。对ZnO禁带宽度进行有效调控及提高ZnO基材料的发光效率,是促进ZnO在光电领域应用的必要条件。目前,利用金属表面等离激元增强半导体材料的发光性质已经成为一个新的研究热点。基于上述几点,本文分别以ZnO、ZnCdO薄膜和ZnO/ZnMgO多量子阱为研究对象,利用金属表面等离激元增强其带边发光,并对发光增强机理进行了深入探 […]