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钛酸钡基陶瓷的制备及掺杂改性研究 10月03日

【摘要】随着现代计算机、通讯技术等高科技电子领域的飞速发展,人们对功能材料的需求量越来越大,对其功能的要求也越来越高。功能陶瓷作为一种基础的电子材料,已经被广泛用于人们的日常及工作生活中。钛酸钡基功能陶瓷自从被发现以来,就因其优良的介电性、铁电性及压电性等,成为了目前很多陶瓷电子元器件的母体原料,被称为“电子陶瓷的支柱”。但是钛酸钡陶瓷的介温性能不太稳定,介电常数随环境温度的变化较大,并且目前制备 […]

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钛酸锶钡(Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3)电介质陶瓷制备及介电性能研究 06月26日

【摘要】钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,BST)是一种重要的电介质材料,属于钙钛矿结构,它是由钛酸钡(BaTiO3)和钛酸锶(SrTiO3)形成的完全固熔体,具有较高的绝缘电阻、低的介电损耗(高频及低频下)和较高的介电常数温度稳定性。而且其介电性能可随锶(x)含量的改变而变化,当x小于0.5时,相变属一级相变,当x大于0.5时,相变属二级相变,并且此时相变是弥散性的,随着x的增大弥散性也随之增 […]

基于环糊精的高性能低介电常数氰酸酯树脂的研究 04月19日

【摘要】随着集成电路技术的发展,大规模集成电路的尺寸越来越小。为了满足这一要求,具有低介电常数,较高的热稳定性和良好的加工性能的高性能绝缘树脂的开发成为了关键。氰酸酯(CE)树脂,作为高性能热固性树脂的代表,具有优异的热性能和机械性能,同时在较宽的温度和频率范围内有着极低的介电常数和稳定的介电损耗。基于这些属性,CE树脂在很多尖端领域内一直被视为制造“结构/功能”材料的最佳候选。尤其是对介电性能有 […]

高介电常数低介电损耗新型聚苯胺/碳纳米管/环氧树脂复合材料的研究 04月19日

【摘要】高介电常数导体/聚合物复合材料在尖端材料领域(电子元器件、机械工程、生物工程和能源等)中的巨大应用前景使其成为材料科学领域的热门话题,并受到越来越多的关注。然而根据渗流理论,当基体中导体含量在渗流阈值(fc)附近,复合材料获得高的介电常数的同时,会发生绝缘体向导体的转变而使得介电损耗激增。因此,如何降低介电损耗成为导体/聚合物复合材料的关键。目前,在导体外包覆聚合物是降低复合材料介电损耗的 […]

改性膨胀石墨/环氧树脂复合材料介电性能的研究 04月19日

【摘要】近年来,随着电子/电气领域的快速发展,高介电常数材料的需求十分迫切,需要不断的创新和研究。其中,高介电常数聚合物基复合材料由于其质轻、加工简单而得到了广泛研究和应用,可以用作高储能电容器、电活性材料、人工肌肉和智能皮肤。其中,导体/聚合物基复合材料中导体填料在较少含量时就能达到高的介电常数,但是导体/聚合物基复合材料接近渗流阈值时介电常数和介电损耗都发生突变,而高的介电损耗会消耗电能产生热 […]

改性环氧树脂基体及其复合材料研究 04月17日

【摘要】本文分别通过两种途径改性环氧树脂,建立了CY40和3221两个体系。首先研究了用氰酸酯树脂(CE)改性环氧树脂(EP),采用正交试验方法系统考察体系的配方—固化反应机理—固化工艺—固化产物及其与各种性能之间的联系与关系,以求寻找最佳树脂配方和合理的固化工艺参数,建立了CE/EP=40/60的CY40体系。其次研究了不同环氧树脂的相互混合改性,通过选择不同特性的两类环氧树脂(双酚A型环氧树脂 […]

聚氯乙烯基和聚偏氟乙烯基共混复合材料结构与性能研究 01月13日

【摘要】聚偏氟乙烯(PVDF)具有优异的力学性能、热稳定性、抗化学腐蚀和耐老化性能,可用作太阳能电池背膜。但PVDF熔体强度大、不易吹塑成型,且表面粘接能力差,限制其使用范围。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)具有强的粘结能力和力学性能,可用来改善PVDF。本文采用熔融共混法制备PVDF/PMMA共混物,研究加工条件和组成对其结构与性能的影响,并采用TiO2提高共混物力学性能。论文进一步采用PVDF/P […]

耐高温炭基吸波剂的调控、结构及性能研究 11月27日

【摘要】摘要:针对我国新型高速飞行器等武器装备对高温结构吸波材料的需求,本论文以提高C/C复合材料的吸波性能为目的,开展了耐高温炭基吸波剂(炭纤维及热解炭)的调控、结构及性能研究。在初步探明炭纤维和热解炭的电磁波响应特性的基础上,通过引入BN、Si02及SiC耐高温陶瓷相来改性炭纤维和热解炭,系统研究了陶瓷相改性对炭纤维和热解炭微观结构、抗氧化性能及介电性能的影响,并对改性炭纤维和热解炭的吸波性能 […]

掺锗HfAlO_x薄膜的微结构与电荷存储特性 10月06日

【摘要】以互补型金属-氧化物-半导体场效应管结构为基础的悬浮式栅极非易失性存储器件在二十世纪中叶开始逐渐广泛应用于各类电子器件中。社会信息技术的快速发展对其器件小型化,电荷存储密度更高化的要求越来越高;然而伴随器件尺寸小型化出现的器件漏电流密度增大、存储时效急剧下降、功耗增大等困难制约了其进一步的高集成化。二十世纪九十年代中期,IBM研究人员用孤立单晶硅替代原来连续的Si栅极层作为电荷存储单元研发 […]

BN-AlN复合陶瓷的制备与性能研究现状 07月19日

【摘要】介绍了BN-AlN复合陶瓷的几种常见的制备方法,同时对BN-AlN复合陶瓷的性能研究现状进行了论述,最后对BN-AlN复合陶瓷的未来发展进行了展望。 【作者】刘欢;张宁;张天文;阚洪敏;王晓阳;龙海波; 【机构】沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室; 【关键词】BN-AlN复合陶瓷;制备方法;致密化;介电性能; 【参考文献】 [1]KostoglotovaValentina.莫斯科旅游 […]