氧化镍纳米晶的合成及其在光电器件中的应用

氧化镍纳米晶的合成及其在光电器件中的应用

作者:师大云端图书馆 时间:2024-01-09 分类:硕士论文 喜欢:582
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【摘要】溶液工艺的光电器件具有工艺简单、可大规模生产、重复性好、环境稳定性好、可在柔性衬底上加工等优点。溶液法合成的NiO和ITO纳米晶晶体质量高、单分散性好,可用于溶液工艺制备的光电器件。本文主要研究内容如下:1.采用溶液法合成纯相、单分散性好的NiO纳米晶。通过在Ni(St)2的醇解和胺解的反应体系中加入LiSt,有效阻止了NiO纳米晶的还原,得到尺寸2-5nm的NiO纳米晶;LiSt在醇和油胺溶液中稳定存在,当Ni(St)2反应生成NiO纳米晶后,LiSt链接到NiO纳米晶表面,由于LiSt反应活性低,降低了NiO纳米晶的反应活性,使NiO纳米晶不被还原,LiSt做为保护配体有效阻止NiO纳米晶的还原;NaSt具有同LiSt相似性质,也可有效抑制NiO纳米晶的还原;在Cu(acac)2胺解体系中,LiSt也可有效抑制Cu2O的还原。2.采用旋涂法溶液工艺制备NiO薄膜,并将薄膜热处理后应用于有机太阳能电池和高分子聚合物发光二极管做空穴传输层。旋涂法得到NiO薄膜透过率在90%以上,表面均方根粗糙度为3.6nm,有较高的功函数5.2±0.1eV;相比于PEDOT:PSS基有机太阳能电池,NiO基器件有更大的短路电流、填充因子、外量子效率和光电转换效率,能量转换效率(PCE)达到6.3%,高于PEDOT:PSS基器件的5.2%,有22%的提升;NiO基高分子聚合物二极管也具有更大的外量子效率和光亮度,最大光亮度13500cd/m2,并可制备柔性器件。3、采用热注入法合成高质量、单分散性好的ITO纳米晶,纳米晶尺寸为11.4土1.1nm。FTIR分析表明,在反应过程中,2-乙基已酸和醋酸铟置换反应生成活性较低的2-乙基已酸铟,2-乙基已酸铟和2-乙基已酸亚锡胺解生成ITO纳米晶;多次热注入合成高质量的大尺寸ITO纳米晶,尺寸增大的同时,LSPR峰位基本保持不变;调节Sn掺杂浓度从3%到30%,ITO纳米晶的LSPR峰位从2100nm蓝移到1680nm,再红移到1930nm,在10%Sn掺杂时,有最高载流子浓度,最短共振波长,同时ITO纳米晶尺寸减小。
【作者】奕清;
【导师】金一政;叶志镇;
【作者基本信息】浙江大学,材料工程,2014,硕士
【关键词】NiO纳米晶;LiSt;有机太阳能电池;发光二极管;ITO纳米晶;

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