【摘要】近些年来,以GaN为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料成为新的研究热点。由于Ⅲ族氮化物半导体材料是直接带隙半导体,其带隙从0.7ev(InN)直到AlN(6.2ev),能量覆盖范围从近红外到深紫外,而且Ⅲ族氮化物材料具有很好的热稳定性,以及优良的电热力学特性,被广泛应用于照明、显示、高密度存储、探测器等领域。作为发光器件的核心部分,InGaN/GaN量子阱发光效率的提高显得尤为重要。虽然在过 […]