首页

金属纳米晶电荷俘获型存储单元的制备及其存储效应的研究 09月16日

【摘要】浮栅型存储器是非易失性存储器市场上的主流产品。随着微电子集成度不断提高,半导体器件特征尺寸日益小型化。当技术节点进入22nm代以后,浮栅型存储技术将趋近其物理极限。寻找一种新型的与半导体工艺兼容的非易失性存储器,成为当今存储器领域研究的热点。电荷俘获型存储器具有同半导体工艺相兼容、操作电压低、功耗低和抗疲劳性能好等优良特性,是一种极具应用前景的新型非易失性存储器,而其中的金属纳米晶存储器由 […]