硼掺杂金刚石膜电极的制备及电场数值模拟 10月30日
【摘要】金刚石是一种具有多种优异性质的半导体材料,可以通过掺入硼元素来制得P型导电的硼掺杂金刚石膜。由于具有宽电势窗口、低背景电流、低吸附特性和高化学惰性的优点,硼掺杂金刚石膜作为电极被广泛的应用于电化学领域。本文创新性地将硼掺杂金刚石膜电极应用于生物领域,研究了其在琼脂糖凝胶电泳实验中的应用。本文采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备了硼掺杂金刚石膜,并通过扫描电镜、Raman光谱、X射线衍射 […]
金属(Zn、Sn)氧族化合物的纳米结构制备及其光学性质研究 10月30日
【摘要】在纳米半导体材料中,最受科研工作者关注的半导体材料为:Ⅱ-Ⅵ族半导体、Ⅲ-Ⅴ族半导体和Ⅳ-Ⅵ族半导体等,其中氧族半导体材料占据重要位置,本文主要研究Sn、Zn氧族半导体纳米材料(SnS、ZnO)。本文分为两部分,第一部分为ZnO纳米材料的制备及其光学性能研究。ZnO为宽带隙半导体,其禁带宽度为3.3eV,具有较高的激子束缚能60MeV。ZnO纳米材料基于其半导体性能的优越性,这使得其在光、 […]