【摘要】忆阻器是继电阻、电感和电容之后的第四种基本电路元件，其概念于1971年提出，但直到2008年HP实验室才发现TiO2在纳米尺度下具有记忆电阻的特性。忆阻器是一种无源的非线性电路元件，其阻值会随着通过其自身电流量的改变而改变，且电流中断时其阻值会保持掉电瞬间的状态。忆阻器在非遗失性存储器、人工神经网络和非线性电路方面有着广阔的潜在应用前景，但迄今尚未商用化。本文研究忆阻器的硬件电路模型，以期 […]