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掺杂缺陷的—维异质双周期光子晶体在外部应力、磁场作用下缺陷模的特性研究 03月15日

【摘要】本论文采用传输矩阵的方法研究了以下三个方面的内容:1、研究了掺杂缺陷的一维异质双周期光子晶体缺陷模的特性,包括光子晶体缺陷模随缺陷层位置、缺陷层光学厚度、缺陷层折射率、缺陷层的层数的变化规律。研究表明:此光子晶体可以在1180nm-1480nm处形成较宽的光子禁带,并且由于缺陷层的参杂,在中心波长1310nm处产生一个缺陷模,由此可以用作光纤的纤芯材料,同样也可以用来制作滤波器。2、在考虑 […]