【摘要】硒化铋和硒化锑是ⅤA-ⅥA族两种典型的直接带隙化合物半导体材料，其性能稳定、对环境无污染、具有良好的光电转换性能，在热电冷凝器件、光电子器件、光催化和光信息储存等领域都有广泛的应用前景而倍受人们关注。纳米半导体材料具有优异的光电、磁学和电学等性质，一直是人们关注的热点。探索适合的方法制备尺寸可控的Bi2Se3-Sb2Se3纳米复合材料可极大的拓宽这两种材料的应用空间，具有重大的研究意义。本 […]