【摘要】ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，并且具有良好的化学稳定性和热稳定性，在短波长光电子器件尤其是紫外光电探测器方面有着巨大的应用潜力，是继GaN以来紫外光电探测器领域的又一研究热点。本文采用PLD方法和水热法，制备了光电导型和PN结型两种类型的ZnO基紫外光电探测器，并对它们的光电性质进行了研究。以蓝宝石为衬底，采用PLD方法制备了 […]