【摘要】碳化硅(SiC)具有宽禁带、高硬度、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、强抗氧化性和化学稳定性等优异性能。一维SiC纳米材料除保留其本征性质外，还由于纳米尺寸效应、特定的形貌和内在的特殊晶体结构及缺陷，在力学、电学和光学等方面展现出更多特异性能。SiC纳米线薄膜作为一维SiC纳米材料的宏观体结构，在高温分离过滤膜、光电催化分解水制氢、催化剂载体、高温传感器、纳米复合材料以及新型纳米光电器件 […]