【摘要】硒化锡(SnSe)是一种重要的Ⅳ-Ⅵ族窄带隙p型半导体材料,其体相材料的直接带隙大小为1.3eV,间接带隙大小为0.9eV,在太阳能电池的最优带隙值区间内(1-1.5eV),其吸收系数可达约104cm-1,是潜在的薄膜太阳能电池的吸收层材料。本论文中采用了热注入的方法,通过使用毒性较低的无机化合物反应前驱体并控制反应条件获得了形貌不同,结构不同的硒化锡纳米颗粒和纳米棒。制备的SnSe纳米晶 […]