【摘要】近几年，随着拓扑绝缘体的研究与发展，传统的Bi2Se3类和Hg1-xCdxTe类材料再次成为关注的焦点。实验中生长的材料都不可避免地引入缺陷与杂质，影响材料的物理、化学、机械和电子特性。例如：Hg1-xCdxTe中的阳离子空位使材料呈现出p型特征；而Bi2Se3材料由于生长过程中引入的替位和空位等本征缺陷表现为n型特征。更有意义的是，通过外来原子的掺杂，这些材料都可以发生n-to-p或p- […]