【摘要】随着集成电路的飞速发展,传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOS)结构电容由于存在寄生电容、电压线性度差等问题已经无法满足下一代射频和模拟/混合信号集成电路的要求。因此,新型的金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器被提出来以取代原有的传统结构电容。然而,随着芯片集成度的提高,进一步要求在不改变电容值的情况下减少单个电容器所占据的有效面积。因此研究高密度MIM电 […]