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PtSi/Si界面的掺杂效应及氧化物生长中Si表面电子作用的理论研究 12月19日

【摘要】硅有着丰富的资源和完美的性质,科学家预言未来几十年内硅工艺依然在电子工业中占据着主导地位。因此,目前电子器件发展以硅器件为主有两个重点方向:一个是利用新材料,如金属-半导体结等,对传统半导体PN结进行替代,从而实现器件小型化;另一个是在硅基底上合成新材料,如铁电性的氧化物薄膜等,从而实现器件多功能化。本文利用第一性原理方法对以上两个方向上的问题分别进行了深入的研究,解释了相关的实验现象。在 […]