【摘要】绝缘体上锗(GOI)材料具有高迁移率、在光通信波段大的吸收系数、与成熟的硅工艺兼容等特点,被认为是未来Si基集成高效光源及下一代微电子器件的重要材料之一。然而Ge的间接带特性是发光器件面临的最大挑战,因此无论是应用于Si基发光还是提高器件沟道内载流子的迁移率,都需要制备较大应变的Ge材料,本论文设计了两种制备GOI纳米带的方法来提高Ge的应变,主要工作和创新点如下：1.利用有限元软件模拟了 […]