【摘要】在有效质量近似下,考虑异质结界面处实际异质结势,采用三角势近似导带弯曲,并计及流体静压力效应,利用变分原理研究了有限高势垒GaN/AlxGa1-xN球形量子点杂质态电子从1s态跃迁到2po态一阶线性和三阶非线性光学吸收系数及压力效应,得到了光学吸收系数随电子面密度和流体静压力的变化关系.数值计算结果表明,随电子面密度的增加,吸收系数峰值的位置向短波方向移动(即蓝移),且一阶线性吸收系数随之 […]