【摘要】由于在基础研究和器件应用中的重要地位,Ag/Si体系一直受到人们的关注。对其结构和特性的研究,有助于更好地理解金属/半导体系统的界面性质、结构组成和形成机理等物理问题,建立其原子结构与电子性质之间的联系。通过有效地控制其生长过程和外延结构,可望开发具有更加优越特性的新型的结构体系,开拓其在微纳器件中的应用。为此,本论文在超高真空环境下,采用分子束外延生长方法,在Si(111)表面上制备Ag […]