【摘要】忆阻器是继电阻、电感和电容之后的第四种基本电路元件，其概念于1971年提出，但直到2008年HP实验室才发现TiO2在纳米尺度下具有记忆电阻的特性。忆阻器是一种无源的非线性电路元件，其阻值会随着通过其自身电流量的改变而改变，且电流中断时其阻值会保持掉电瞬间的状态。忆阻器在非遗失性存储器、人工神经网络和非线性电路方面有着广阔的潜在应用前景，但迄今尚未商用化。本文研究忆阻器的硬件电路模型，以期 […]

【摘要】2008年，惠普实验室制作出了一种新型的TiO2忆阻器元件。忆阻器具有纳米尺度结构和记忆其电荷的功能，可与CMOS工艺相兼容，具有改善甚至改变整个电子电路理论及应用的可能性。对于这样一种新型的多功能器件的研究才仅仅五年的时间，忆阻器的基本性质以及忆阻器应用的研究都不够成熟，需要更多的探索。本文从两个方面研究忆阻器，一是通过对忆阻器基本性质研究，建立其FPGA数字模型；二是根据忆阻器数字模型 […]