【摘要】环境问题和能源问题是21世纪人类可持续发展面临的两大挑战。能利用洁净太阳能资源的半导体光催化技术成为应对这两大挑战的重要手段之一。本论文针对半导体光催化技术实际研究中存在的问题,以半导体能带工程为指导思想,以设计及合成高效可见光催化材料为研究目标,采用理论和实验相结合的研究手段,一方面利用共掺杂对间的电荷补偿效应对宽禁带半导体光催化材料进行改性修饰,探索共掺杂对宽禁带半导体材料能带结构剪裁 […]

【摘要】纤锌矿结构的ZnO是一种直接带隙宽禁带（室温下Eg=3.37eV）半导体材料，激子束缚能高达60meV。因此，用ZnO制备的发光二极管（LED）适合在高温、恶劣的环境下工作并获得高效、稳定的发光。半导体p-n结是发光器件的核心部件，被称为LED的芯片。对于ZnO来说，复杂的制备技术、缺乏理想的掺杂受主等因素导致人们仍未制备出高质量的p-ZnO，这严重阻碍了ZnO同质p-n结器件的发展。为此 […]

【摘要】ZnO是一种宽禁带直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，并且具有良好的化学稳定性和热稳定性，在短波长光电子器件尤其是紫外光电探测器方面有着巨大的应用潜力，是继GaN以来紫外光电探测器领域的又一研究热点。本文采用PLD方法和水热法，制备了光电导型和PN结型两种类型的ZnO基紫外光电探测器，并对它们的光电性质进行了研究。以蓝宝石为衬底，采用PLD方法制备了 […]