CdTe薄膜太阳能电池背接触层Sb_2Te_3的研究

CdTe薄膜太阳能电池背接触层Sb_2Te_3的研究

作者:师大云端图书馆 时间:2019-06-27 分类:参考文献 喜欢:3349
师大云端图书馆

【摘要】在众多被开发和利用的新能源中,太阳能电池的应用成为最具发展潜力、发展最快的研究领域之一,是当今世界解决经济、环境和能源间矛盾的一个有效途径。总体来看,制备低成本、高效的薄膜太阳能电池是今后太阳能电池发展趋势。在薄膜太阳能电池领域中,CdTe薄膜太阳能电池由于其效率高、成本低、制备工艺简单和易于产业化等诸多优势而备受关注。在最近三十年成为薄膜太阳能电池研究领域的热点之一。但是,要制备出效率较高的CdTe薄膜太阳能电池,需要解决几项关键技术,背接触层问题就是其中一个。本文以Sb2Te3作为电池中的背接触层,首先,研究用电化学沉积法制备Sb2Te3薄膜的过程并对其进行表征;其次,研究了其欧姆接触特性;最后,将Sb2Te3背接触层应用到CdTe薄膜太阳能电池中,研究它对整个电池性能的影响,主要工作如下:(1)以Ni为基底,用电化学沉积的方法在其上生长Sb2Te3菜花状阵列薄膜,通过测试电解质溶液的循环伏安特性找到了沉积Sb2Te3菜花状阵列薄膜的最佳沉积电位。同样以Ni为基底,采用相同的制备方法,通过改变溶液中硝酸的摩尔浓度,在其表面制得Sb2Te3纳米麦穗阵列薄膜。研究了Sb2Te3菜花状阵列薄膜的欧姆接触特性,Sb2Te3/Ni的I-V特性曲线为过原点的直线,呈现出欧姆接触特性。(2)用电化学沉积的方法,在Sb2Te3菜花状阵列薄膜表面制备CdTe薄膜,厚度约为1.5μm,然后在CdTe薄膜表面用化学水浴沉积法制备CdS薄膜,厚度约为200nm,最后,在CdS薄膜的表面用热蒸发法制备SnO2薄膜。以Ni和SnO2分别为CdTe薄膜太阳能电池的正负电极,用导电银浆导出引线,得到完整的具有光伏效应的CdTe薄膜太阳能电池,并对其光电性质进行了研究,电池的短路电流Isc为3.58mA/cm2,开路电压Voc为0.39V,填充因子FF为22.42%,光电转换效率η为0.313%,受测面积为0.5cm2。相同条件下制备的无Sb2Te3背接触层的CdTe薄膜太阳能电池的短路电流Isc为1.76mA/cm2,开路电压Voc为0.37V,填充因子FF为22.88%,光电转换效率η为0.149%,受测面积为0.5cm2。通过对比可知,有Sb2Te3背接触层的CdTe薄膜太阳能电池的光电转换效率提高了很多,说明Sb2Te3是一种较好的CdTe薄膜太阳电池背接触材料。
【作者】张文娇;
【导师】杨海滨;
【作者基本信息】吉林大学,凝聚态物理,2014,硕士
【关键词】CdTe薄膜太阳能电池;背接触层;Sb2Te3;欧姆接触;电化学沉积;

【参考文献】
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