等离子刻蚀周边工艺与冶金硅太阳电池的漏电

等离子刻蚀周边工艺与冶金硅太阳电池的漏电

作者:师大云端图书馆 时间:2017-09-02 分类:参考文献 喜欢:1517
师大云端图书馆

【摘要】本文在介绍工业化生产多晶硅太阳电池工艺流程的基础上,着重介绍等离子刻蚀周边工艺以及冶金硅太阳电池的对比实验。刻蚀工艺是制造晶体硅太阳电池的重要环节,刻蚀工艺的好坏直接关系到太阳电池的整体性能,特别是太阳电池的漏电。因此掌握好刻蚀工艺对于制造太阳电池是重要和必要的。冶金硅太阳电池的漏电情况相对于化学法提纯硅的电池更为突出,为提高冶金硅太阳电池的转化效率、降低漏电,进行磷吸杂前过二洗与不过二洗的对比实验。实验结果达到了预期的目的:过二洗的电池片转换效率平均值17.14%,未过二洗的电池片转换效率平均值16.81%;过二洗的电池片Irev1、Irev2平均值分别为0.682A、1.317A,过二洗的电池片Irev1、Irev2平均值分别为0.835A、1.350A。磷吸杂前过二洗的电池片整体性能优于未过二洗的电池片,漏电情况也有明显的改善。实验为优化冶金硅太阳电池生产工艺、改善电池漏电情况提供了一种参考。
【作者】王鑫;
【导师】朱成军;
【作者基本信息】内蒙古大学,电子与通信工程,2014,硕士
【关键词】等离子刻蚀周边工艺;冶金硅太阳电池;漏电;工艺流程;

【参考文献】
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