【摘要】宽禁带（3.37eV）半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能，是发展短波长、低阈值发光/激光二极管（LEDs/LDs）的理想候选材料之一。单晶ZnO纳米线具有优越的电子输运和光学性质，将其引入到光发射器件当中可显著提高器件性能。同时，金属局域表面等离子体（LSP）可以和ZnO激子产生共振耦合，能有效提高有源层的内量子效率和光萃取效率，从而提升整个器件的光发射性能。本论文以ZnO纳米线异 […]