【摘要】InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有电子迁移率高、噪声低、功耗低及增益高等特点，是毫米波段最具竞争力的半导体器件之一，在高速、高频等应用领域中占据着重要的地位。本文重点围绕InP基HEMT器件关键工艺、器件制备、单片集成电路设计等方面展开工作，取得的主要研究成果如下：1.开发了InP基HEMT器件关键工艺：A)通过PMGI/ZEP520A/PMGI/ZEP520A自对准曝光工艺，成功 […]