【摘要】随着电力电子技术的的迅速发展,肖特基二极管(SBD)和PiN二极管为主的传统二极管己无法满足高频、大功率、低功耗的市场需求,前者击穿电压低、反向漏电大,而后者高频特性较差。由此结势垒肖特基二极管(JBS)应运而生,该结构将SBD结构和PiN结构巧妙地结合在一起,具有高耐压、低压降、小漏电、高频特性好及强抗过压和浪涌电流能力。被广泛应用于开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、变压器次 […]

【摘要】电磁脉冲炸弹和高功率微波武器等新概念电子战武器的快速发展以及雷达和无线通信系统的广泛使用使得电子系统面临的电磁环境日益复杂化，另一方面半导体器件和集成电路特征尺寸的不断缩小、功耗的不断降低以及工作频率的不断提高使得电子系统对电磁能量的敏感度和易损性与日俱增，因此研究电磁脉冲(electromagneticpulse,EMP)对电子系统的干扰和损伤效应进而提高电子系统的抗干扰能力变得越来越重 […]

【摘要】集成电路(IC)技术遵循“Moore定律”的发展进入了纳米尺度，来自短沟道效应、寄生效应以及量子隧穿等问题的挑战使得传统的微电子器件技术越来越难以满足IC技术持续发展的要求，特别是日益严重的功耗问题，已经成为延续“Moore定律”的最大瓶颈。为解决现阶段IC发展中遇到的“功耗限制”问题，基于PIN结构的超陡峭亚阈值斜率器件IMOS和TFET成为了当前国际上的研究热点。IMOS和TFET器件 […]