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基于多沟道长度的多阈值电压低功耗技术的研究 06月15日

【摘要】近年来,得益于集成电路制造工艺的发展,集成电路设计方法以及EDA技术的快速发展,推动SoC集成度的不断提高,使得单位面积的功耗急剧增加,导致便携式电子产品的发展受到限制。尤其是近年来工艺的不断发展,静态功耗呈指数增加,在45nm工艺时甚至已经超过了动态功耗所占比例。如何找到更有效的方式降低静态功耗已经成为现代SoC进一步发展所面临的一个巨大挑战。由于之前我们研究的重点都集中在如何降低动态功 […]