【摘要】近年来,包含硅和锗原子的小分子由于在制造半导体器件的反应过程中扮演着重要中间体的角色,引起了众多理论和实验的关注。目前仍非常欠缺该类小分子的光谱信息,这将阻碍人们进一步研究和理解制造半导体器件的反应过程。基于高精度的势能面,可以更好地研究这个半导体分子的光谱信息。本文采用高精度量子化学计算方法构建了半导体小分子HGeCl、HGeBr和HSiCl的基态(X1A’)和激发态(A1A”)势能面和 […]