【摘要】相比于其他传统半导体材料，GaN太赫兹器件具有更大的电子有效质量，更高的纵向声子能量，更快的子带间电子散射，更大的负阻区电流峰谷比和更高的二维电子气密度等，使其在太赫兹领域中具有一定的优势。然而GaN材料的生长技术和传统的半导体材料相比依然不够成熟，GaN材料中的缺陷密度依然很高，这会直接导致GaN太赫兹器件的性能衰减，更甚至于击穿和烧毁。为了推动GaN太赫兹器件的应用，必须首先解决相关器 […]